（报告出品方/作者：光大证券，刘凯）

1、国内介质刻蚀设备和MOCVD设备双龙头

1.1、公司业绩稳步增长，近三年归母净利润CAGR达.07%

中微公司是一家立足中国、面向世界的高端半导体设备公司。公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售，主要产品包括刻蚀设备、MOCVD设备、VOC设备，广泛应用于集成电路、LED外延片、功率器件、MEMS等半导体产品的制造过程中。

公司经营情况良好，业绩稳步增长。年实现营业收入22.73亿元，同比增长16.76%，归母净利润4.92亿元，同比增长.02%，-年归母净利润CAGR高达.07%。年H1实现营业收入13.39亿元，同比增长36.82%，实现归母净利润3.97亿元，同比增长.17%。

公司半导体设备产品销售收入占比近80%，是公司的主营业务。年公司专用设备业务实现收入17.99亿元，同比增长13.36%，占营业收入的比例为79.11%。年备用备件业务实现收入4.42亿元，同比增长30.77%，占营业收入的比例为19.44%。

公司管理费用率和销售费用率先降后升。近两年公司管理费用率和销售费用率略微有所上升主要是由于公司股权激励导致股份支付费用增加以及职工薪酬费用的增长所致。近几年公司财务费用率波动较小，公司财务费用主要受利息费用波动和汇兑收益的波动影响。

公司销售毛利率和销售净利率逐渐改善。年H1公司整体毛利率42.34%，较年同期增加8.42个百分点。分业务来看，公司主营业务毛利率逐渐改善，主要是由于毛利率较高的刻蚀设备业务占比逐渐上升，年H1公司专用设备毛利率为41.54%，较年同期增加8.76个百分点。而MOCVD设备由于竞争激烈，毛利率已经降到很低的水平，H1MOCVD设备的毛利率有所回升，达到30.77%，较年同期有大幅度提升。预计未来随着公司新一MiniLEDMOCVD设备验证成功以及MicroLEDMOCVD设备研发成功，公司主营业务的毛利率将会得到提升。

公司主要聚焦于等离子刻蚀设备、化学薄膜沉积设备，目前已经有四种比较成熟的产品。其刻蚀设备产品包括电容性等离子体刻蚀设备（CCP）和电感性等离子体刻蚀设备（ICP）,主要应用在集成电路的制造过程中，公司等离子体刻蚀备已应用在国际一线客户从65纳米到14纳米、7纳米和5纳米及其他先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线，并持续提升市占率；MOCVD设备，即金属有机化合物化学气相沉积设备，主要应用在LED外延片的制造过程中，公司MOCVD设备在行业领先客户的生产线上大规模投入量产，公司已成为世界排名前列的氮化镓基LED设备制造商。

1.2、大基金持股，助力公司快速发展

中微公司前身中微有限成立于年5月，年12月整体变更为股份有限公司，年7月成功登陆科创板，成为科创板首批上市公司之一。年，福布斯中国将公司评选为“中国最具创新力企业50强”，新浪财经评选公司为“中国上市公司科技创新60强”，国家发改委、科技部等部门认定公司为“国家企业技术中心”。中微公司是高新技术企业，享受高新技术企业15%所得税的优惠税率。

公司无控股股东和实际控制人，各项重大决策均需各方共同参与。截至年6月30日，公司第一大股东为上海创业投资有限公司，其持股比例为15.67%。上海创投是上海科技创业投资（集团）有限公司%控股子公司，实际控制人为上海市国资委。第二、第三大股东分别为巽鑫（上海）投资有限公司（国家集成电路产业投资基金%控股子公司）、嘉兴智微企业管理合伙企业（有限合伙），持股比例分别为15.17%、4.98%。

公司定向增发82.07亿元，大基金二期获配25亿元。为扩充公司现有产品的产能以及提升在技术研发方面的投入水平，公司于年8月启动定向增发，年3月获得证监会核准批复。截至年6月22日止，中微公司向特定对象发行A股股票总数量为.93万股，发行价格为.29元/股，实际募集资金总额为人民币82.07亿元。其中，大基金二期获配25亿元。

公司定向增发资金主要用于生产集成电路设备、泛半导体领域生产及检测设备，以及部分零部件等。其中，临港产业化基地将主要承担公司现有产品的改进升级、新产品的开发生产以及产能扩充。中微产业化基地建设项目拟扩充和升级的产品类别为等离子体刻蚀设备、MOCVD设备、热化学CVD设备等新设备、环境保护设备，相应产品的产能规划情况分别约为腔/年、腔/年、腔/年、腔/年。

1.3、公司重视研发，研发投入占营收比重20%以上

公司重视研发投入，研发支出占营收比重保持在20%以上。年公司研发支出为6.40亿元，同比增长50.59%，占营业总收入的比重为28.16%，较年增加6.33个百分点。与北方华创相比，中微公司虽然在研发支出规模上小于北方华创，但是从研发支出占营业收入的比重来看，二者研发支出占营业收入的比重均保持在20%以上，高于芯源微、至纯科技等半导体设备公司。

公司研发实力突出，担了多项国家科技重大专项及其他多项重大科研项目。包括具有自主知识产权的国产化原创刻蚀装备及MOCVD设备，刻蚀机项目成果已顺利产业化并实现市场销售，项目支持的MOCVD设备也在LED客户芯片生产线投入量产。

截至年12月31日，中微公司共有研发人员名，占员工总数的38.70%，硕士及以上学历共人，占研发人员总数的比例为，其中博士62人，占研发人员总数的17.92%。截至年6月30日，公司已申请1,项专利，其中发明专利1,项；已获授权专利1,项，其中发明专利项。公司的发明专利“等离子体处理装置及调节基片边缘制程速率的方法”荣获第二十二届中国专利金奖。

公司年在研项目共9个，主要包括存储器刻蚀的CCP和ICP刻蚀设备、Mini-LED大规模生产的高输出量MOCVD设备、Micro-LED应用的新型MOCVD设备等。在研项目所需要的技术水平均为国际先进水平，预计总投资规模为15.03亿元，截止年末累计投入金额6.75亿元。

公司年定向增发资金部分用于新产品的研发工作，主要包括等离子体刻蚀设备、薄膜沉积设备等优势产品，技术储备情况良好，部分产品已经拥有相关核心专利。新产品的研发有助于公司不断巩固和提高技术先进性，帮助公司进一步提高产品的市占率，继续在细分领域保持优势地位。

1.4、创始团队及核心技术人员拥有国际半导体设备公司的从业经验

集成电路产业的发展需要资金、技术、人才，目前我国最紧缺的是技术和人才，而人才缺失会限制技术的发展。因此，目前影响我国集成电路产业发展的关键因素是人才。

中微公司创始团队及技术人员拥有国际领先半导体设备公司的从业经验，是国内具有国际化优势的半导体设备研发和运营团队之一。其创始人、董事长及总经理尹志尧博士在半导体芯片和设备产业有超过30年的行业经验，是国际等离子体刻蚀技术发展和产业化的重要推动者之一。年美国VLSIResearch的全球评比中，中微公司董事长尹志尧博士与英特尔董事长、格罗方德CEO等一起被评为年国际半导体产业十大领军明星（AllStars）。

公司已经通过全员持股方式将员工个人利益和公司利益绑定在一起，有效提高了公司员工的忠诚度和以及公司的凝聚力。公司于年12月31日签订《员工持股计划协议》，设立境内外员工持股平台南昌智微、中微亚洲、Grenade、Bootes、励微投资、芃徽投资，公司在科创板IPO前，六家员工持股平台持股比例分别为6.37%、5.15%、2.38%、2.31%、0.41%和0.05%，合计持股比例为16.67%。年公司股权激励计划授予限制性股票万股，年因实施股权激励计划产生股份支付费用约1.24亿元。

公司人均薪酬水平领先同行，有利于提升关键技术人员和研发团队的积极性和创造性。中微公司年人均薪酬47.51万元，大幅领先同行业公司人均薪酬水平。其中，研发人员共人，研发人员平均薪酬为54.81万元。

关键技术人员是半导体设备公司生存和发展的关键，也是公司获得持续竞争优势的基础。随着半导体设备行业对专业技术人才的需求与日俱增，人才竞争不断加剧，更好的发展平台、更有竞争力的薪酬待遇及良好的研发条件才能吸引优秀人才，降低核心技术人员流失风险。中微公司通过全员持股激励制度以及丰厚的薪酬体系吸引了来自世界各地具有丰富经验的半导体设备专家，形成了成熟的研发和工程技术团队，不断提升公司技术水平和市场竞争力，引领国内半导体设备和技术的发展。

2、国产替代进程加速，公司刻蚀设备市占率有望进一步提升

2.1、半导体设备市场规模屡创新高，中国大陆首次成为全球最大的半导体设备市场

半导体专用设备泛指用于生产各类半导体产品所需的生产设备，属于半导体行业产业链的支撑环节。半导体设备行业是半导体芯片制造的基石，撑起来了整个现代电子信息产业，是半导体行业的基础和核心。

半导体产业按产品可分为集成电路、分立器件、传感器和光电器件。其中，集成电路技术难度最高、附加值最大、工艺最为复杂。

应用于集成电路领域的设备通常可分为前道工艺设备（晶圆制造）和后道工艺设备（封装测试）两大类。其中，在前道晶圆制造中，共有七大工艺步骤，分别为氧化/扩散（ThermalProcess）、光刻（Photolithography）、刻蚀（Etch）、清洗（Clean）、离子注入（IonImplant）、薄膜生长（DielectricandMetalDeposition）、化学机械研磨（CMP），制造过程中所用到的专用设备主要包括氧化/扩散设备、光刻设备、刻蚀设备、清洗设备、离子注入设备、薄膜沉积设备、化学机械抛光设备。

全球半导体设备市场有望在年突破0亿美元。

中国大陆年半导体设备销售额达.2亿美元，首次成为全球最大的半导体设备市场。据国际半导体产业协会（SEMI）统计，年中国大陆半导体设备销售额达.2亿美元，同比增长39％，首次成为全球最大的半导体设备市场，-年我国大陆半导体设备销售额年均复合增长率达27.76%。中国台湾地区年半导体设备销售额排名第二，为.5亿美元，占全球半导体设备市场销售额的比例为24.09%。

虽然我国半导体市场规模庞大，但目前半导体设备自给率低。

2.2、刻蚀设备是晶圆制造三大主设备之一，价值量不断上升

刻蚀是指用化学或物理方法有选择地在硅片表面去除不需要的材料的过程，是与光刻相联系的图形化处理的一种主要工艺，是半导体制造工艺的关键步骤。刻蚀的基本目标是在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形，经过物理或者化学刻蚀之后，衬底上留下的图形电路就与掩膜版的形状一模一样了。

制造先进的集成电路器件，良率对产品的影响至关重要。集成电路器件一层结构的加工就需要十几个步骤，如果要建立60层的复杂结构，就需要约1,个加工步骤。单个步骤的良率即使达到99.0%，0个步骤后的良率就趋近于零。因此只有每个步骤的良率均达到99.99%，才能实现总体良率90%以上。

3DNAND层数的增加要求刻蚀技术实现更高的深宽比。集成电路2D存储器件的线宽已接近物理极限，NAND闪存已进入3D时代。3DNAND制造工艺中，增加集成度的主要方法不再是缩小单层上线宽而是增加堆叠的层数。刻蚀要在氧化硅和氮化硅一对的叠层结构上，加工40：1到60：1的极深孔或极深的沟槽。

芯片线宽的缩小及新制造工艺的采用（如多重模板工艺），对刻蚀技术的精确度和重复性要求更高。刻蚀技术需要在刻蚀速率、各向异性、刻蚀偏差、选择比、深宽比、均匀性、残留物、等离子体引起的敏感器件损伤、颗粒沾污等指标上满足更高的要求，刻蚀设备随之更新进步，例如：刻蚀设备的静电吸盘从原来的四分区扩展到超过20个分区，以实现更高要求的均匀性；更好的腔体的温度控制实现生产重复性的提高。

集成电路产线投资70-80%用于购买半导体设备，刻蚀设备、薄膜沉积设备和光刻设备是三大主设备。先进集成电路大规模生产线的投资可达亿美元，75%以上的投资用于购买半导体设备，而晶圆制造相关设备投资额占比约为总体设备投资的80%，刻蚀设备、薄膜沉积设备、光刻设备设备是晶圆制造的三大主要设备，年三大主要设备投资规模占晶圆制造设备总投资的比例分别为30%、25%、23%。

刻蚀设备市场增长迅速。目前，存储器件正从2D向3D结构转变，逻辑器件向3nm等技术节点发展，这些工艺的变化使得等离子体刻蚀设备成为更关键的设备，其市场增速超过光刻机和其他前道设备。

刻蚀设备在晶圆厂产线中的价值占比正在不断提升。随着国际上高端芯片从14纳米向7纳米、5纳米甚至更小的方向发展，当前市场普遍使用的沉浸式光刻机受光波长的限制，必须采用多重曝光工艺，利用刻蚀工艺实现更小的尺寸，使得刻蚀技术及相关设备的重要性进一步提升。

2.3、政策和需求双轮驱动，刻蚀设备国产替代进程加快

半导体的应用涉及计算、通讯、工业控制等多个领域，半导体行业越来越成为经济发展的基础行业，保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业，是大国竞争的焦点，而半导体专用设备业是半导体行业的重要支撑，属于国家高度重视和重点支持的战略新兴行业。为推动半导体产业发展，增强产业创新能力和国际竞争力，我国近年来推出了一系列鼓励和支持半导体产业发展的政策，为包括设备在内的半导体产业的发展营造了良好的政策环境。

年6月，国家颁布《集成电路产业发展推进纲要》，提出设立国家集成电路产业基金(简称“大基金”)，将半导体产业新技术研发提升至国家战略高度，国家集成电路产业投资基金股份有限公司（简称“大基金一期”）应运而生。大基金一期成立于年，目标规模.00亿人民币。大基金一期的第一着力点是集成电路制造领域，主要解决国内代工产能不足、晶圆制造技术落后等问题，投资方向集中于存储器和先进工艺生产线，其中集成电路制造占67%，设计占17%，封测占10%，装备材料类占6%。截至年6月30日，大基金一期通过巽鑫（上海）投资有限公司（大基金一期%控股子公司）持有中微公司15.17%的股份，为中微公司第二大股东。

国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司（大基金二期）参与中微公司定向增发，助力公司发展。大基金二期成立于年10月22日，注册资本高达.5亿元，截至年6月30日，大基金二期持有中微公司3.97%的股份，为公司的第五大股东。

晶圆厂不断扩张，半导体设备需求旺盛，预计年集成电路晶圆加工设备市场规模可达亿美元。在半导体制造产业中，半导体设备行业的客户是晶圆厂。当半导体终端需求增长时，晶圆厂会加大资本性支出，扩大其生产规模，开始建设新厂或进行产能升级。随着晶圆厂的资本性支出加大，半导体设备销售也会随之增长。

目前，国外厂商在全球半导体专用设备市场中占主导地位，行业集中度较高。全球知名的半导体设备制造商主要分布在美国、荷兰、日本等地，由于半导体专用设备行业具有较高的技术壁垒和市场壁垒，美国AppliedMaterials凭借资金、技术、客户资源、品牌等方面的优势，连续20年保持世界半导体设备销售额第一名的地位。

硅单晶炉、封装设备等技术壁垒较低领域，国产设备市场占有率逐步提高，核心设备国产化率仍然偏低。封装设备国产化率达19%，然而光刻机、刻蚀设备和薄膜沉积设备国产化率小于10%，主要是由于这些核心设备技术壁垒高，对产线良率影响较大。

刻蚀设备国产化进程加快，中微公司表现亮眼。

目前，随着晶圆厂产能紧缺，大陆晶圆代工厂中芯国际、华虹集团，中国台湾晶圆代工厂台积电、联电、晶合等晶圆厂接连在大陆扩产、建厂，加速国内半导体产业发展和布局，中国大陆半导体行业资本开支正逐渐加大，根据Gartner预测，预计年中国大陆半导体行业资本开支可达.71亿美元，创历史新高。与此同时，国际政治、经济局势紧张，外部挑战也将倒逼我国半导体行业提高产业链发展水平。在内外部因素共同推动下，国内半导体生态圈将逐步完善，各类设备均有望实现快速增长。

中国大陆正处于新一代智能手机、物联网、人工智能、5G通信等行业快速崛起的进程中，中国已成为全球最重要的半导体应用和消费市场之一。终端应用产品需求扩张、国家战略支持以及本土企业技术突破，我国半导体设备企业迎来机遇，半导体设备国产替代率有望取得历史性突破。

2.4、CCP刻蚀设备在国内继续保持优势，ICP刻蚀设备份额逐渐增长

干法刻蚀在半导体刻蚀市场占主导地位。按照刻蚀工艺划分，其主要分为干法刻蚀以及湿法刻蚀。由于干法刻蚀可以实现各向异性刻蚀，符合现阶段半导体制造的高精准、高集成度的需求，因此在小尺寸的先进工艺中，基本采用干法刻蚀工艺，导致干法刻蚀在半导体刻蚀市场中占据绝对主流地位，市场占比超过90%。

干法刻蚀主要是刻蚀介质材料（氧化硅、氮化硅、二氧化铪、光刻胶等）、硅材料（单晶硅、多晶硅、和硅化物等）和金属材料（铝、钨等）。根据Gartner计数据，年，全球集成电路制造干法刻蚀设备市场规模回升至.89亿美元，同比增长25.36%，在全球集成电路制造设备市场的规模占比达21.10%；到年，全球集成电路制造干法刻蚀设备市场规模预计将增长至.85亿美元，年复合增长率约为5.84%。

中微公司刻蚀设备业务国内领先，但其全球市占率较低。根据Gartner统计数据，年全球干法刻蚀设备行业市场集中度较高，CR3达到90.24%，其中泛林半导体以46.71%的市场份额排在第一位。中微公司、北方华创、屹唐股份市场份额分别为1.37%、0.89%、0.10%，与泛林半导体、东京电子、应用材料的市场份额相比，差距较大。目前，中微公司、北方华创、屹唐股份等企业尚处于追赶阶段，全球市场占有率较低。

中微公司刻蚀设备业务以生产干法刻蚀（等离子体刻蚀）设备为主。等离子体刻蚀设备是一种大型真空的全自动的加工设备，一般由多个真空等离子体反应腔和主机传递系统构成。根据产生等离子体方法的不同，干法刻蚀主要分为电容性等离子体刻蚀（CCP）和电感性等离子体刻蚀（ICP）。电容性等离子体刻蚀设备主要用于刻蚀氧化物、氮化物等硬度高、需要高能量离子反应刻蚀的介质材料。电感性等离子体刻蚀设备主要用于刻蚀单晶硅、多晶硅等材料。

公司电容性刻蚀设备（CCP）在国内继续保持领先优势。中微公司从年成立开始就着手开发甚高频去耦合的CCP刻蚀设备PrimoD-RIE，到目前为止已成功开发了双反应台PrimoD-RIE，双反应台PrimoAD-RIE和单反应台的PrimoAD-RIE三代刻蚀机产品，涵盖65纳米、45纳米、32纳米、28纳米、22纳米、14纳米、7纳米到5纳米关键尺寸的众多刻蚀应用，部分产品批量应用于国内外一线客户的集成电路加工制造生产线。

公司ICP刻蚀设备竞争力不断增强。公司从年开始研发ICP刻蚀设备，到目前为止已成功开发出单反应台的Primonanova刻蚀设备，涵盖14纳米、7纳米到5纳米关键尺寸的刻蚀应用。年6月,公司ICP设备PrimoNanova第台反应腔顺利交付,经过客户验证的应用数量也在持续增加。年3月公司推出的PrimoTwin-StarICP刻蚀设备，用于IC器件前道和后道制程导电/电介质膜的刻蚀应用，目前已收到来自国内领先客户的订单。随着微观器件越做越小，薄膜厚度越来越薄，线宽控制越来越严，ICP刻蚀机取代以往的CCP刻蚀设备成为市场规模占主导地位的设备。

3、公司是氮化镓基LEDMOCVD设备龙头

3.1、MOCVD设备是LED芯片制造中的核心设备

MOCVD（Metal-OrganicChemicalVapourDeposition，金属有机化学气相沉积设备），是在基板上生长半导体薄膜的一种技术。MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长原材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。利用MOCVD技术，许多纳米层可以以极高的精度沉积，每一层都具有可控的厚度，以形成具有特定光学和电学特性的材料。

目前MOCVD设备主要用于氮化镓基及砷化镓基半导体材料外延生长，其中氮化镓基LEDMOCVD主要用于生产氮化镓基LED和功率器件的外延片。除用于制造通用照明和背光显示的蓝光LED，MOCVD设备还可制造应用于高端显示的MiniLED和MicroLED、紫外LED、电力电子的功率器件等。

LED产业链由衬底加工、LED外延片生产、芯片制造和器件封装组成。该产业链中主要涉及的设备包括：衬底加工需要的单晶炉、多线切割机；制造外延片需要的MOCVD设备；制造芯片需要的光刻、刻蚀、清洗、检测设备；封装需要的贴片机、固晶机、焊线台和灌胶机等。LED外延片的制备是LED芯片生产的重要步骤，与集成电路在多种核心设备间循环的制造工艺不同，主要通过MOCVD单种设备实现。因此，MOCVD设备是LED芯片生产和功率器件制造过程中的关键设备。

MOCVD设备采购金额一般占LED生产线总投入的一半以上，是LED外延片制造中最重要的设备。

3.2、下游企业大规模布局Mini/MicroLED，释放新一轮需求

过去几年，LED厂商扩产的主要方向为蓝绿光外延片，应用领域主要集中在照明市场。受内需不振和新冠疫情影响，我国照明市场增速持续下调。-年，我国半导体照明市场规模逐渐扩大，但增速放缓。年中国大陆照明产业整体产值为亿元，同比下降7.1%，其中，上游外延芯片规模约亿元。预计随着下游需求逐渐回暖，半导体照明产业规模有望回升。

MiniLED市场元年正式开启，有望带动MOCVD设备市场快速增长。我国是全球最大的LED显示屏生产基地，拥有完备的产业链及配套企业，随着MiniLED技术快速突破，成本迅速下降，在超高清电视、高阶显示器等市场需求拉动下，MiniLED背光和显示市场开始起量。

MicroLED技术体系复杂，成为各企业部署重点，产业化应用指日可待。MicroLED是下一代显示技术的重要技术路线，在消费电子市场拥有广阔的应用空间，衬底和外延、芯片器件、颜色混合等各环节技术重点对现有的产业链都提出了新的技术指标和要求，对于设备、工艺等关键领域都有研发需求。随着MicroLED技术逐渐成熟，将拉动MOCVD设备市场规模逐步上升。

面向“十四五”，国家重点研发计划启动实施年“新型显示与战略性电子材料”重点专项，MicroLED也是重要研究方向。预计“十四五”规划期间，国家和地方政府将在教育、科研、人才、融资等各方面出台政策支持第三代半导体，MicroLED作为重要应用将会迎来蓬勃发展期。

深紫外LED杀菌消毒应用市场增长，催生对相应MOCVD设备的需求。紫外线灭菌消毒作为一种物理消毒方法，与传统的化学药剂消毒相比，具有无抗药性、无化学残留、可连续杀灭病毒、方便调节剂量等优点；同时，与传统紫外汞灯相比，具有功耗低、发光响应快、寿命高、辐射效率高、对环境无污染等优点，未来潜在的市场规模巨大。目前，很多企业纷纷布局紫外线LED业务。

据CSAResearch不完全统计，年LED上下游企业以及显示终端企业纷纷入局，国内共有16笔Mini/Micro-LED投资项目，已披露的投资金额超过亿元；国内UVLED项目投资企业数量超过20家，已披露的投资金额50亿元，新建产线项目占比超过40%。传统LEDMOCVD设备迎来拐点，Mini/MicroLED等新兴领域将成为MOCVD设备市场新的增长点。随着下游企业加速布局Mini/MicroLED等新兴领域，MOCVD设备需求将大幅上升。

3.3、推出新一代PrimoUnimax，公司有望继续保持氮化镓基LEDMOCVD设备龙头地位

我国已成为全球MOCVD设备最大需求市场，设备保有量不断增长。根据LEDinside统计，中国已成全球MOCVD设备最大的需求市场，MOCVD设备保有量占全球比例已超40%。根据高工LED数据显示，年至年中国MOCVD设备保有量从1,台增长至1,台，年均复合增长率达18%。

年以前主要由维易科、爱思强等国际企业占据MOCVD设备主要市场份额，年以来中微公司的MOCVD设备产品逐步取得突破。根据IHSMarkit统计数据，年中微公司的MOCVD占据全球氮化镓基LEDMOCVD设备新增市场的41%；尤其在年下半年，中微公司的MOCVD设备更是占据了全球新增氮化镓基LEDMOCVD设备市场的60%以上。年中微公司在全球氮化镓基LEDMOCVD设备市场占据领先地位。

公司从年开始开发用于LED外延片加工中最关键的设备—MOCVD设备，年推出第一代设备PrismoD-Blue，用于蓝绿光LED外延片及功率器件生产。随后推出了PrismoA7、PrismoHiT3设备，分别用于蓝绿光LED、深紫外LED外延片生产，丰富了产品种类。随着LED电视、平板电脑、笔记本电脑、桌面显示器、智能手机和车载显示等应用需求的不断增长，Mini-LED成为面板企业和LED企业

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