（报告出品方/作者：德邦证券，陈海进）

1.SiC产业链逐步成熟

1.1.SiC具有优秀材料特性，适用于高压、高频场景

SiC具有优秀的材料特性。碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，并和氮化镓（GaN）都具有宽禁带的特性，被称为第三代半导体材料。由于SiC具有宽禁带宽度，从而导致其有高击穿电场强度等材料特性。受益于SiC的材料特性，SiC功率器件具有耐高压、体积小、功耗低、耐高温等优势。

SiC器件适用于高压、高频应用场景。功率器件可以按照设计结构分为二极管、MOSFET、IGBT等，也可以按照产品并联形态分为单管或者模组，还可以按照衬底材料分为硅基、SiC、GaN功率器件。对比来看，SiC器件和IGBT都可以在V以上的高压下工作，但SiC器件能承受的频率更高。根据感抗和容抗公式，相同感抗、容抗下，电路频率提升，电容和电感值可以下降，即可以使用更小体积的电容和电感。SiC器件需要的被动元器件数量和体积就更小，从而减小了整个系统的体积。

SiC产业链主要包括衬底、外延、器件制造、封测等环节。SiC衬底的制造过程是首先将碳粉和硅粉在高温下反应得到高纯度SiC微粉，然后将其放在单晶生长炉中高温升华形成SiC晶体，最后SiC晶体通过晶锭加工、切割、研磨、抛光和清洗得到SiC衬底。根据衬底电阻率的不同，SiC衬底可以分类为导电型、半绝缘型衬底。由于衬底具有一定缺陷，不适合在其上直接制造半导体器件，所以衬底上一般会沉积一层高质量的外延材料。导电型SiC衬底上一般再外延一层SiC，然后用于制作功率器件，而半绝缘型SiC衬底上可以外延GaN材料，用于制作射频器件。

SiC衬底是晶圆成本中占比最大的一项。由于SiC衬底加工环节复杂、耗时，所以其在整个SiC晶圆中所占成本比例最高。SiC晶圆的其他加工成本包括外压以及正面和背面的掺杂、金属化、CMP、清洗等。考虑到SiC材料属于高硬度的脆性材料，所以在加工、减薄过程中容易比硅晶圆出现更多的翘曲、裂片现象，从而使得目前良率损失占成本比例仍较大。

1.2.SiC衬底是产业链核心环节

SiC衬底将迎来高速成长，其中导电型衬底占主要地位。按照电阻率的不同，SiC衬底分为导电型和半绝缘型衬底。由于导电型衬底用于做功率器件，下游应用更广泛，所以其市场空间也较半绝缘型衬底要大。展望未来，Wolfspeed预测年全球SiC材料的市场空间在7亿美元，而年将增长到17亿美元，复合增速达到25%，且其中用于功率器件的导电性衬底仍将占主要地位。

Wolfspeed在SiC衬底一家独大，中国厂商迎头赶上。从整个SiC衬底市场来看，因为Wolfspeed较早开始SiC的研发与生产，所以目前的全球份额领先，而II-VI和SiCrystal位居第二梯队，有10%多的市场份额。接下来的厂商包括SKSiltron（5%）以及天科合达（4%）。单独看半绝缘型SiC衬底市场的话，市场上的供应商数量较少，呈现Wolfspeed、II-VI和山东天岳三足鼎立的格局。考虑到《瓦森纳协定》中将半绝缘SiC衬底等材料对中国等部分国家进行出口限制，国产半绝缘型衬底厂商有望迎来较好发展。

国产SiC衬底与海外的差距逐步缩窄。目前全球的SiC衬底量产线主要尺寸为6英寸，而业内头部公司也在往8英寸产线发展。例如，Wolfspeed的第一条8英寸SiC产线将在年Q2开始生产，标志着全球第一条8英寸SiC产线的投产。目前国内的SiC衬底产线以4英寸为主，部分厂商也开始量产6英寸的衬底。以天岳先进为例，国内4英寸产线的量产时间较海外晚10年以上，但6英寸的量产时间差距缩小至7~10年，反映国产SiC衬底技术也在逐步提升。

全球SiC从6英寸往8英寸发展，有望带动芯片单价下降。正如硅片晶圆从8英寸往12英寸发展，目前SiC晶圆也正在从6英寸往8英寸发展。更大的晶圆尺寸可以带来单片芯片数量的提升、提高产出率，以及降低边缘芯片的比例，从而提升晶圆利用率。例如，Wolfspeed统计，6英寸SiC晶圆中边缘芯片占比有14%，而到8英寸中占比降低到7%。随着全球SiC晶圆的尺寸扩大，预计将带动SiC芯片单价降低，从而打开应用市场。

国产8英寸SiC衬底实现小批量生产。8英寸SiC晶体生长的难点在于：8英寸籽晶的研制、大尺寸带来的温场不均匀和气相原料分布和输运效率问题、应力加大导致晶体开裂问题。由于这些问题所在，全球第一座8英寸SiC晶圆厂直到年4月才开始生产。不过，我国企业也在快速追赶中。烁科晶体宣布在年1月实现8英寸N型碳化硅衬底小批量生产；中国科学院物理研究所在年4月也宣布成功生长出了单一4H晶型的8英寸SiC晶体。国内6英寸SiC衬底预计仍有较大成长空间。根据中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟的预测，预计-年国内4英寸SiC晶圆市场逐步从10万片减少至5万片，6英寸晶圆将从8万片增长至20万片；-年，4英寸晶圆将逐步退出市场，6英寸增加至40万片。

SiC衬底售价随着出货量提升而逐步下行。年，天岳先进的平均销售价格为元/片，较年同比下降25%。考虑到目前国产6英寸衬底还未大批量生产，所以预计还会有降价空间。另一方面，半绝缘型SiC衬底由于市场供应商较少，且下游有部分军事装备应用，所以目前售价较高。当前SiC衬底售价较高是良率水平低、晶圆尺寸小、自动化程度低等多因素导致的。随着各厂商提升工艺、往更大尺寸SiC晶圆发展，预计SiC衬底售价将逐步下行。

1.3.SiC外延提升器件参数稳定性

外延是指在SiC衬底上生长一层或多层外延层。相比衬底，外延材料厚度、掺杂浓度均匀性好、片间一致性优、缺陷率低，有效提高了下游产品的一致性和良率。功率器件一般对缺陷密度、高电压及电流耐受度要求高，所以会使用外延片来进行芯片制造。目前外延常用工艺为化学气相沉积（CVD）法，即通过使用外延炉以及前驱气体来在SiC抛光片上生长外延层。外延中的核心技术包括对外延温度、气流、时间等参数的精确控制，以使得外延层的缺陷度小，从而提高器件的性能及可靠性。器件依据不同的设计，所需的外延参数也不同。一般而言，外延的厚度越大，器件能够承受的电压也就越高。针对V~0V的应用，SiC外延层的厚度一般在1~40μm。

由于SiC外延有一定难度，所以市场上有一些专门做SiC外延的厂商，如瀚天天成、东莞天域等。目前国产6英寸SiC外延产品已经实现商用化，8英寸产品在研制中。

1.4.国产SiC器件在快速追赶海外龙头

SiC器件制造需要增加高温离子注入、高温退火等步骤，相比硅基器件难度更大。除了在SiC衬底制造上的难点，SiC器件的制造过程也有一定门槛。因为碳原子的原子半径是91pm，小于硅原子的原子半径（在pm以上），所以硅和碳之间键长更短，键能也就更高（相比硅与硅原子）。衬底元素键能的差异使得SiC晶圆制造过程需要更高的温度。例如，传统硅基材料可以用扩散的方式完成掺杂工艺，但SiC需要使用高温离子注入进行掺杂，然后还需要高温退火来修复晶格结构。SiC的材料特性给器件制造带来了新的难度。从SiC的器件形态来看，目前主要分为SiC分立二极管、分立晶体管、SiC和Si混合模组、全SiC模组等。目前汽车中使用的SiC器件多为SiC模组，因为要求高功率会需要并联多个SiCMOSFET器件。随着新能源汽车需求的提升，预计SiC模组的市场占比将进一步增大。

SiC肖特基二极管相比硅基FRD具备优势，目前发展较成熟。SiC肖特基二极管（SBD）是最早进入市场的碳化硅功率器件产品，从年英飞凌首先推出SiC肖特基二极管产品以来，经历20年的发展，国内外有多家公司量产SiC肖特基二极管系列产品。根据CASAResearch，目前国产SiC二极管实现V-V全系列批量供货能力，导通电流最高达50A。

SiCMOSFET分为平面型和沟槽型，沟槽型是未来发展方向。目前SiCMOSFET器件产品中存在两种主流的技术路线方案，即平面型和沟槽型MOSFET。沟槽型MOSFET通过将栅极做成沟槽型，减少栅极所占用的面积，从而减少每个单元的尺寸，达到减少导通电阻的目的。不过由于这种结构需要开沟槽、工艺复杂，所以其单元一致性比平面型MOSFET要差一点。截至年，走平面型MOSFET技术路线的公司主要有Wolfspeed、安森美等，而走沟槽型路线的公司以英飞凌、Rohm为主。由于沟槽型具有更好的性能表现，预计其是未来发展方向。

海外厂商的SiCMOSFET已经过几轮迭代。自从年Wolfspeed第一代SiCMOSFET的推出，海外10余家公司量产SiCMOSFET系列产品，其中击穿电压涵盖-V，单芯片导通电流最高达A以上。随着各厂商产品的迭代，目前如英飞凌、Rohm的沟槽型产品可以将导通电阻最低降到10mΩ左右，而以Wolfspeed为代表的平面型产品的导通电阻会稍高。国产SiCMOSFET在快速追赶。国内SiCMOSFET产品参数一般为V（-15mΩ）、0V（80-17mΩ）。对比来看，国产SiCMOSFET的导通电阻和品质因素表现稍差，不过在快速追赶中。

1.5.SiC制造中长晶环节具有较高壁垒

长晶炉是目前SiC单晶制备的主要设备。传统硅晶棒大部分是通过直拉单晶法制备，即将多晶硅原料放在单晶炉中加热融化，然后将籽晶浸入液面后慢慢向上提拉，形成晶棒。由于SiC没有液态，只有气态和固态，所以不能用直拉单晶的制备方法。目前制备SiC单晶的方法主要分为三种技术路线：物理气相运输法（PVT）、溶液转移法（LPE）、高温化学气相沉积法（HT-CVD）。PVT法是目前SiC单晶生长研究最多、最成熟的技术，被海外主流厂商所采用，而其中使用的主要设备是长晶炉。

除设备之外，目前SiC衬底在制备中的难点包括：

单晶生长速度慢。硅单晶的生长速度约为mm/h，碳化硅单晶的生长速度约为0.4mm/h，两者相差近倍。故而，SiC的单晶长度一般就几厘米到10厘米，一般称为晶锭，而不是像硅棒有2-3米的长度。晶棒生长过程中的控制环节。SiC粉末到晶棒的过程中涉及到热场设计、生长条件控制、缺陷控制等核心技术，是目前主要影响SiC良率的环节。例如，碳化硅有多达余种同质异构体，用于制作功率半导体的主要是4H-SiC单晶结构。碳化硅单晶生长过程中，4H晶型生长窗口小，对温度和气压设计有着严苛标准，生长过程中控制不精确将会得到其他结构的碳化硅晶体。天岳先进年的晶棒良率为51%，虽然较前几年有所上升，但仍然处于偏低的水平，反映晶棒生产的高门槛。

切磨抛加工能力。由于SiC材料硬度大，所以在切磨抛中容易破碎，造成良率损失或者更长的加工时间。衬底良率一般体现单个半导体级晶棒经切片加工后产出合格衬底的占比。天岳先进年衬底良率在70%，反映晶棒到衬底环节仍有一定损失。

长晶炉的单台产能在逐步提升。根据天岳先进的公告，年其长晶炉的单台年产能在片衬底，较年的单台产能增长了32%，反映长晶炉的生产效率在逐步提升。由于半绝缘型衬底的厚度一般较导电型衬底更厚，所以长晶炉生长半绝缘型衬底的产能会小于生产导电型衬底。以天科合达和晶盛机电规划的投资项目为例，其中衬底以导电型为主，而长晶炉的单台年产能预计为~片。

SiC芯片制造设备以6英寸为主，需要高温离子注入机进行掺杂。在SiC衬底制造环节，除了长晶炉，厂商还需要切割机、研磨机、抛光机和检测设备来帮助对SiC晶体进行加工处理。在SiC芯片制造环节，除了传统的晶圆加工用的光刻机、涂胶显影机、刻蚀机，SiC还会额外需要高温离子注入机（取代扩散炉）来完成掺杂。不过由于目前SiC晶圆以6英寸为主，所以晶圆产线的投资额相对较低。

2.SiC应用方兴未艾

2.1.SiC器件市场高速发展

SiC市场将迎来高速增长，预计年到年市场规模CAGR为34%。根据Yole的预测，年全球碳化硅市场规模为10.9亿美元，其中主要应用市场为汽车。到年，Yole预计整体SiC市场规模达到63亿美元，使得年到年的复合增速为34%，其中汽车SiC市场预计增长到50亿美元，占比提升到79%，且复合增速高于行业整体，达到39%。除汽车之外，能源、工业也是SiC的重要应用下游，预计到年也分别有4.6、5.5亿美元的市场空间。

传统功率器件厂商纷纷布局SiC。根据Yole统计，年全球SiC功率器件市场同比增长57%。全球从各厂商SiC功率器件收入来看，年收入前五的公司分别是ST、英飞凌、Wolfspeed、Rohm、安森美。这五家头部企业目前都采用垂直一体化整合模式，即SiC业务覆盖从衬底生产到器件制造的全流程。SiC器件在部分应用中已经开始大规模出货。目前SiC器件已经在汽车、充电桩、光伏逆变器、轨道交通等下游中都得到了商业化应用，其中电动车电驱中的VSiC模组已经大批量出货，而Yole预计0V模组产品预计将在未来1-2年在光伏逆变器中开始上量。

2.2.新能源汽车是SiC的主要应用场景

电驱逆变器是SiC在汽车上的主要应用领域。在新能源汽车上，SiC应用的主要领域是电驱逆变器、车载充电机（OBC）和直流电压转换器（DC/DC）。根据Wolfspeed的预测，到年，逆变器应用占汽车SiC器件市场的80%以上，是其中最为重要的应用领域。SiC器件应用于电驱逆变器中，能够显著降低电力电子系统的体积、重量和成本，并提高功率密度；应用于车载充电机和DC/DC系统，能够降低开关损耗、提高极限工作温度、提升系统效率。除此之外，SiC也可以应用于新能源汽车充电桩上，达到减小充电桩体积、提高充电速度的效果。

电动车通过使用SiC逆变器可以提升效率、增加电池续航。在电驱逆变器中使用SiC器件的优势一方面在于损耗降低和效率的提升，另一方面在于整个系统成本的降低。具体来说：减小逆变器体积和重量。因为SiC器件自身芯片面积会减小，且其工作频率高，可以节省外围的被动元器件，从而SiC模块体积会小于IGBT模块；SiC散热性好，也减少了冷却系统的体积。据ST估计，SiCMOSFET的逆变器封装尺寸比硅基IGBT的减少50%以上。

提升逆变器效率，增加续航。ST估计，在一个电动车平均运行状态（15%负载）下，SiC逆变器的效率比IGBT逆变器高3.4%。与一个85kWh电池的硅基IGBT方案对比，SiC方案的同等续航电池容量只需要82.1kWh，相当于节省了美元的电池成本（按$/kWh的电池成本计算）。这也意味着在同样电池容量下，SiC方案可以提升电动车的续航。

越来越多的车型开始搭载SiC功率器件。随着特斯拉在Model3的主逆变器中首次采用全SiC功率器件，越来越多的厂商开始发布搭载SiC器件的车型，包括比亚迪、蔚来、小鹏、丰田、奔驰等。通过搭载SiC器件，这些新发布的车型可以实现更小的逆变器和车载充电机、更高的逆变效率、更高功率密度，从而提升汽车驱动功率、充电速度以及续航。考虑到蔚来、小鹏等搭载SiC车型将在下半年开始交付，预计车规SiC器件将迎来放量。

V电压可以明显提升电动车充电速度。以小鹏G9车型为例，其是国内首款基于V碳化硅平台的车型，预计将于年开始交付。高压碳化硅平台使得小鹏可以推出kW的超级充电桩技术，而kW的充电功率可以使得一个kWh电池包的充满时间只要10多分钟，真正解决电动车充电焦虑问题。高电压等级下，SiC的效率提升优势将更明显。根据ST的数据，在V电压平台下，SiC能够比硅基IGBT器件拥有2%~4%的效率提升，而在V电压平台下其效率提升幅度则可增大至3.5%~8%。当汽车平台选择更高电压等级时，SiC的优势将更明显，所以我们预计SiC器件会逐步在高压平台、以及V高性能车型上得到应用。

2.3.SiC器件提升光伏逆变器的转换效率

光伏逆变器中的开关电路和续流二极管都可以使用SiC器件。逆变器电路中的功率器件分为两大类：开关器件和续流二极管。开关器件用来控制电路的通断，将直流逆变为交流。续流二极管（可选用快恢复二极管或者肖特基二极管）并联在开关器件上，为感性负载上的电流提供通路。这两部分电路都可以通过使用SiC器件来降低损耗。SiC器件可以提升逆变器的效率。通过组合Si和SiC器件的使用，目前逆变器的电路有多种方案，包括：1）全硅基型，是全部使用硅基器件，包括IGBT、二极管；2）混合型，是混合使用硅基与SiC器件，例如SiIGBT+SiC二极管，或SiIGBT+SiCMOSFET；3）全SiC型，是全部使用SiCMOSFET或者SiC二极管。从表现来看，使用全SiC的逆变器在逆变效率上好于混合型，而全硅基型的效率表现弱于前两类逆变器。

应用于光伏领域的SiC器件发展逐渐成熟。SiC肖特基二极管早在年就被英飞凌推出，然后在年左右，SiCMOSFET产品也得到量产。近几年，应用于光伏领域的SiC和Si的混合型模块以及全SiC模块都相继推出。例如，年，英飞凌推出应用于光伏的EasyPack3B模块，采用IGBT模块和SiC肖特基二极管，应用于如阳光电源SGHX逆变器中。SiC器件发展逐渐成熟。

2.4.轨交中SiC器件逐步得到应用

SiC器件可以降低轨道交通的能耗。轨道交通车辆中的牵引变流器、辅助变流器、变压器、充电机是主要使用功率半导体的地方，其中牵引系统是轨交主要耗电之处。根据中国轨道交通网的数据，牵引用电占城市轨道交通总用电的50%以上。SiC器件的优势就在于提高效率、减少能耗。根据中国城市轨道交通协会的评估，深圳地铁和中车株洲电力机车研究所联合研制的全碳化硅牵引逆变器能耗比硅基IGBT降低10%以上，牵引电机在中低速段噪声下降5dB以上。国产SiC器件在轨交上逐步得到应用。在SiC应用方面，日本地铁较早开始使用SiC肖特基二极管以及全SiC功率模块在牵引逆变器上。中车时代电气是国产轨交SiC器件较领先的企业，在年就在3V/ASiC混合模块上取得研发进展。目前国产SiC模块已经用于深圳地铁1号线、苏州轨交3号线等轨交车辆上。

3.SiC持续降本，在高压领域更具系统成本优势

3.1.SiC与硅基器件价差逐渐缩小

SiC器件的报价在持续下降，并与硅基器件价差逐渐缩小。根据CASAResearch统计的半导体器件经销商网上平均报价（元/安培）来看，SiC肖特基二极管（SBD）以及SiCMOSFET器件近年来在逐步下降，其中VSiCSBD报价在~年的复合降幅达到25%，而VSiCMOSFET的复合降幅为32%。由于SiC器件价格的下降，其与硅基器件的价差也在逐渐缩小。SiC器件的实际成交价与硅基器件差距缩小至2~3倍区间。相比于经销商的公开报价，半导体器件的实际成交价一般要更低。根据CASAResearch的调研，年底，VSiCSBD的实际成交价格约0.7元/安培，0VSiCSBD的成交价格约1.2元/A。SiC器件的实际成交价基本约为公开报价的60%-70%，且较上一年下降了20%左右。从实际成交价来看，SiC器件与硅基器件的价格差距预计缩小至2~3倍区间。

预计SiC器件在高电压场景中先具备替代优势。从安森美的功率器件原厂价格对比来看，目前其VSiCMOSFET价格比同电压的硅基IGBT单管要贵3.2倍，而0VSiCMOSFET比同电压的IGBT单管价格差距就缩小至2.2倍。这反映在高电压等级下，SiC器件的价格与硅基的差距更小。考虑到SiC对系统成本的减少，例如减少散热组价和缩小体积，我们预计在高电压场景下，SiC已出现替换硅基器件的优势。华为预计年前碳化硅价格逐渐于硅持平。华为在《数字能源》中指出，以碳化硅为代表的第三代半导体功率芯片和器件能够大幅提升各类电力电子设备的能量密度，提高电能转换效率，降低损耗，渗透率将在未来全面提升；碳化硅的瓶颈当前主要在于衬底成本高，预计未来年前，其价格会逐渐降为硅持平。

3.2.汽车应用带动SiC晶圆需求保持迅猛增长

SiC晶圆需求预计将爆发增长。TrendForce预估，随着电动汽车渗透率的不断提升，以及整车架构逐渐朝向V等更高压的方向发展，年电动汽车市场对6英寸SiC晶圆的需求量将达万片，较目前有数倍的成长。虽然行业领先者在年已经开始生产8英寸SiC衬底，但考虑到良率和爬坡时间，预计6英寸SiC晶圆在未来几年仍将占据主流。SiC功率器件市场未来4年复合增速预计为29%，汽车应用贡献主要增长。Wolfspeed预估在年，全球SiC功率器件市场规模在22亿美元，其中工业和能源市场有6亿美元，而汽车市场有16亿美元。随着汽车电动化、快速充电设施的发展、光伏及工业应用对电路效率提升的需求，预计全球SiC功率器件市场到年增长为60亿美元的规模，其中工业和能源市场为14亿美元，而汽车市场将大幅增长至46亿美元。

4.重点企业分析

4.1.天岳先进

国内半绝缘型碳化硅衬底龙头。山东天岳先进科技股份有限公司成立于年，是一家专注于碳化硅衬底的公司。公司先后承担多个国家项目，在碳化硅衬底领域走在国内前列。目前公司产品包括半绝缘型和导电型碳化硅衬底。根据Yole统计，年公司在半绝缘碳化硅衬底的市场占有率连续三年保持全球前三。除了衬底，公司对碳化硅外延也有布局。导电型碳化硅衬底建设将完善天岳的碳化硅布局。公司目前在山东济南、济宁建立碳化硅衬底生产基地，主要生产半绝缘型衬底；在上海投资建设6英寸导电型碳化硅衬底材料，预计将于年三季度实现一期项目投产。天岳的导电型衬底项目计划于年达产，达产后将新增碳化硅衬底产能约30万片/年。

4.2.天科合达

国内导电型碳化硅衬底龙头。天科合达成立于年，在国内最早建立了完整的碳化硅晶片生产线。公司在国内率先成功研制6英寸碳化硅衬底，并已实现2英寸至6英寸的碳化硅晶片的规模化生产和销售。公司先后承担和参与多项国家重大科研项目，并先后起草或参与起草多项现行国家标准和行业标准。公司目前的产品主要包括碳化硅衬底、其他碳化硅产品（主要是宝石晶体）、碳化硅单晶生长炉等。根据Yole统计，年公司导电型碳化硅衬底的全球市场占有率为1.7%，排名全球第六、国内第一。根据Wolfspeed年数据，天科合达在全球碳化硅衬底市占率为4%，排名全球第五、国内第一。

年8月，天科合达的第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目在北京市大兴区顺利开工，总投资约9.5亿元人民币，总建筑面积5.5万平方米，新建一条台/套碳化硅单晶生长炉及其配套切、磨、抛加工设备的碳化硅衬底生产线，项目计划于年年初完工投产，建成后可年产碳化硅衬底12万片。

4.3.斯达半导

国内IGBT龙头，新能源业务占比快速提升。根据Omdia统计，年，斯达半导IGBT模块的全球份额排名全球第六位，在国内企业中排名第一位。年，斯达半导新能源业务营收同比增长%，从而使得该业务主营收入占比从年的22%提升到34%。预计电动车的渗透率提升将带动斯达新能源业务的快速发展。

自建SiC模块+芯片产能，乘上行业发展东风。预见到SiC功率模块市场会迅速增长，公司年底开始投资建设年产8万颗车规级全SiC功率模块产线，且目前已经获得国内外多家著名车企和Tier1客户的项目定点。例如，年6月，宇通客车宣布和斯达半导体合作开发SiC的商用车电控方案。除了SiC模块产线的建设外，公司于年非公开发行募资35亿元，并将投资5亿元于6英寸SiC芯片生产项目。当公司自建的芯片产能投产后，将帮助公司完成从芯片到器件的垂直整合，更好地抓住SiC器件市场的发展机遇。

4.4.露笑科技

露笑科技布局碳化硅长晶炉以及衬底。露笑科技主营业务是铜芯、铝芯电磁线的生产与销售。公司与产业资本共同投资成立了露笑半导体材料有限公司，以进行碳化硅晶体生长、衬底片和外延片研发、生产和销售。除了布局碳化硅衬底业务，公司也具备碳化硅长晶炉的生产能力。

与天域半导体签订框架协议，有望增强公司衬底实力。截至年底，公司已经完成衬底片加工车间建设并投入使用，且具备年产10万片的产能规模。预计到年底，公司可以实现0片/月的碳化硅衬底片供货能力。年11月，公司控股子公司露笑半导体与天域半导体签订战略合作框架协议。协议内容为天域半导体优先使用露笑半导体生产的6英寸碳化硅导电衬底，且~年露笑半导体需为天域半导体预留产能不少于15万片。天域半导体是国内进行碳化硅外延片生产的主要公司，预计该合作可以帮助露笑半导体提升衬底生产水平。

4.5.东尼电子

东尼科技专注于超微细合金线材、金属基复合材料及其它新材料的应用研发、生产与销售，产品主要应用于消费电子、太阳能光伏、医疗、新能源汽车四大领域。公司的超微细电子线材、无线充电隔磁材料主要应用于消费电子行业；金刚石切割线、节能型太阳能胶膜主要应用于光伏行业；线束主要应用于医疗及汽车行业；极耳、铝塑膜主要应用于新能源汽车行业。

公司碳化硅样片已获得下游良好反馈。年4月，东尼科技发布年度非公开发行A股股票预案公告，拟集资金投资建设碳化硅半导体材料等项目，其中碳化硅材料项目投资总额为4.69亿元，规划建设年产12万片碳化硅衬底材料，建设期为36个月。根据公司公告，公司碳化硅项目从开始储备研发，技术主要来源于美国、日本，研发团队来自中国台湾；年4月，公司的碳化硅片样片已交付，获得下游良好反馈。

（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）

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