随着微电子产业的发展，传统的电子封装技术已不能完全满足要求，有很多问题需要解决，如集成电路（IC）的封装，要提供芯片与系统其他位置的输入/输出（I/O）接口，这种封装技术设计复杂、成本高，同时限制了IC的性能和可靠性。为了解决这些问题，外形封装在电子封装技术领域中渐渐崭露头角。外形封装的第一步就是晶圆切割，晶圆切割工艺的效果直接影响芯片的性能和效益。

　　传统的刀切方式存在切割过程中碎屑和裂缝的产生、切割边缘强度降低等问题。而传统的激光切割技术由于激光与材料的热效应，引入热影响区和微裂缝，热影响区过大，晶圆有效面积减小，微裂缝若延伸至芯的保护范围，会影响芯片性能。在此情况下激光隐形切割技术应运而生，被广泛应用于MEMS晶圆、RFID晶圆和Memory晶圆等领域。

各工艺对比

隐形切割原理

将特定波长的激光通过光学系统后聚焦在晶圆内部，该光学系统具有极好的聚焦性能，能够把光压缩到衍射极限，具有较高的峰值功率密度。在材料中间形成改质层，通过扩展胶膜等方法将工件分割成芯片，而不会破坏芯片晶圆表面和边缘。

产品展示

技术参数

产品特点

●整盒加工，全自动上下料

●激光焦点数量可调，间距可控

●焦距实时校正，保证切割一致性

●加工无热熔区，崩边小

●红外定位，同时实现正切/背切

●SEMIS2认证

加工效果

行业应用案例

硅基麦克风晶圆切割

　　晶圆隐形切割后经过50倍和倍成像后的表面效果图，切割道中间只有一条裂痕，没有任何粉尘和烧蚀；下左和下右展示的是某颗芯片相邻二侧加工截面经过倍成像后的效果图，加工速度为mm/s，分别用二次双焦点加工而成，纹路清晰，崩边小于2μm。

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